Name: TOROSUS DDR4 Memory SODIMM Series
Brand: GETM
Availability: InStock
Rating: 4.9 (42 reviews)

Bộ nhớ TOROSUS DDR4 Dòng SODIMM

Nâng cao khả năng phản hồi của hệ thống - Bộ nhớ máy tính xách tay DDR4 mang lại hiệu suất được cải thiện so với DDR3, cho phép truy cập dữ liệu nhanh hơn và khả năng phản hồi của hệ thống để đa nhiệm và hiệu suất ứng dụng mượt mà hơn.

Giảm tiêu thụ điện năng - Các mô-đun bộ nhớ DDR4 hoạt động ở mức điện áp thấp hơn so với DDR3, giúp giảm mức tiêu thụ điện năng và kéo dài tuổi thọ pin cho máy tính xách tay, khiến chúng trở nên lý tưởng cho điện toán di động.

QualityMộtBảo hiểm - Bộ nhớ TOROSUS DDR kết hợp thiết kế bảng mạch PCB 6 lớp để đảm bảo cả độ ổn định và khả năng truyền tải hiệu suất cao. Hơn nữa, nó tích hợp A-level Nor Flash hàng đầu để đảm bảo chất lượng sản phẩm và khả năng tương thích vượt trội.

Nhà sản xuất bộ nhớ máy tính xách tay đáng tin cậy- TOROSUS sử dụng các tiêu chuẩn kiểm tra đầu vào nghiêm ngặt, quy trình sản xuất chuyên nghiệp và phương pháp quản lý chất lượng nghiêm ngặt để cung cấp một loạt các sản phẩm Bộ nhớ DDR được thiết kế để sử dụng lâu dài. Các sản phẩm của chúng tôi tự hào có khả năng tương thích rộng, độ ổn định vượt trội, hiệu suất đọc-ghi vượt trội và tích hợp liền mạch với các nền tảng máy tính chính thống.

Công suất mở rộng - Có sẵn trong RAM DDR4 4GB, RAM DDR4 8GB, RAM DDR4 16GB, RAM DDR4 dung lượng 32GB, ccung cấp công suất tương ứng theo nhu cầu cá nhân.

THÔNG SỐ KỸ THUẬT RAM TOROSUS DDR4 UDIMM SERIES
Loạt	Dòng DDR4 SODIMM
Thương hiệu	TOROSUS
Khả năng	4GB		8GB			16GB		32GB
Số mô hình	DDR4-NB-4GB		DDR4-NB-8GB			DDR4-NB-16GB		DDR4-NB-32GB
EAN	6935515102700	6935515103097	6935515102717	6935515102731	6935515102755	6935515102748	6935515102762	6935515102779	6935515102786
Tốc độ / tần số bộ nhớ	2400MHz	2666 MHz	2400MHz	2666 MHz	3200MHz	2666 MHz	3200MHz	2666 MHz	3200MHz
Băng thông bộ nhớ (GB/s)	19200		21300			21300		21300
Xếp hạng (1Rx8 / 2Rx8 / 8Rx4)	1Rx8		1Rx8			2Rx8		2Rx8
Độ trễ CAS	CL15-15-15-35	CL19-19-19-43	CL15-15-15-35	CL19-19-19-43	CL22-22-22-52	CL19-19-19-43	CL22-22-22-52	CL19-19-19-43	CL22-22-22-52
Hoạt động Voltage	1.2V
Không. của IC bộ nhớ	4//8//16
Công suất tiêu thụ	3W
IC điều khiển	KHÔNG
Hỗ trợ ép xung (CÓ / KHÔNG)	KHÔNG
ECC (Mã sửa lỗi) (CÓ / KHÔNG)	KHÔNG
Trọng lượng tịnh (g)	10g
Tổng trọng lượng (g)	25g
Số lượng pin	260
Hỗ trợ OEM / ODM	CÓ
Tản nhiệt / Máy rải nhiệt	KHÔNG
Yếu tố hình thức	SODIMM
Loại bộ nhớ máy tính (DRAM/SDRAM)	DRAM
Nhiệt độ hoạt động	0-70°C
Nhiệt độ lưu trữ	-40~85°C
Bảo đảm	3 năm
Không. Số kênh bộ nhớ (Đơn / Kép)	(Đơn / Kép)
Kích thước sản phẩm (W x D x H) tính bằng mm	70x30x3mm
Bộ nhớ đệm / không đệm	Bộ nhớ không có bộ đệm
Thương hiệu IC bộ nhớ	Micron / Samsung / SK Hynix

Liên kết liên quan