Name: TOROSUS DDR4 Memory SODIMM Series
Brand: GETM
Availability: InStock
Rating: 4.9 (42 reviews)

TOROSUS Bộ nhớ DDR4 Dòng SODIMM

Tăng cường khả năng đáp ứng của hệ thống - Bộ nhớ máy tính xách tay DDR4 cung cấp hiệu suất được cải thiện so với DDR3, cho phép truy cập dữ liệu nhanh hơn và phản hồi hệ thống để đa nhiệm và hiệu suất ứng dụng mượt mà hơn.

Giảm tiêu thụ điện năng - Các mô-đun bộ nhớ DDR4 hoạt động ở mức điện áp thấp hơn so với DDR3, giúp giảm mức tiêu thụ điện năng và kéo dài tuổi thọ pin cho máy tính xách tay, khiến chúng trở nên lý tưởng cho điện toán di động.

QualityABảo hiểm - Bộ nhớ DDR TOROSUS kết hợp thiết kế bo mạch PCB 6 lớp để đảm bảo cả độ ổn định và truyền hiệu suất cao. Hơn nữa, nó tích hợp Nor Flash A-level hàng đầu để đảm bảo chất lượng sản phẩm và khả năng tương thích vượt trội.

Nhà sản xuất bộ nhớ máy tính xách tay đáng tin cậy- TOROSUS sử dụng các tiêu chuẩn kiểm tra đầu vào nghiêm ngặt, quy trình sản xuất chuyên nghiệp và phương pháp quản lý chất lượng nghiêm ngặt để cung cấp một loạt các sản phẩm Bộ nhớ DDR được thiết kế để sử dụng lâu dài. Các sản phẩm của chúng tôi tự hào có khả năng tương thích rộng, độ ổn định vượt trội, hiệu suất đọc-ghi vượt trội và tích hợp liền mạch với các nền tảng điện toán chính thống.

Công suất mở rộng - Có sẵn trong RAM DDR4 4GB, RAM DDR4 8GB, RAM DDR4 16GB, RAM DDR4 dung lượng 32GB, ccó khả năng tương ứng theo nhu cầu cá nhân.

TOROSUS ĐẶC ĐIỂM KỸ THUẬT RAM DDR4 UDIMM SERIES
Dòng sản phẩm	Dòng DDR4 SODIMM
Nhãn hiệu	TOROSUS
Sức chứa	4GB		8GB			16 GB		32 GB
Số mô hình	Bộ nhớ DDR4-NB-4GB		DDR4-NB-8GB			DDR4-NB-16GB		Bộ nhớ DDR4-NB-32GB
EAN	6935515102700	6935515103097	6935515102717	6935515102731	6935515102755	6935515102748	6935515102762	6935515102779	6935515102786
Tốc độ bộ nhớ / Tần số	2400 Tần số	2666 GHz	2400 Tần số	2666 GHz	3200 GHz	2666 GHz	3200 GHz	2666 GHz	3200 GHz
Băng thông bộ nhớ (GB / s)	19200		21300			21300		21300
Xếp hạng (1Rx8 / 2Rx8 / 8Rx4)	1Rx8		1Rx8			2Rx8		2Rx8
Độ trễ CAS	CL15-15-15-35	CL19-19-19-43	CL15-15-15-35	CL19-19-19-43	CL22-22-22-52	CL19-19-19-43	CL22-22-22-52	CL19-19-19-43	CL22-22-22-52
Hoạt động Voltage	1.2V
Không. IC bộ nhớ	4//8//16
Công suất tiêu thụ	3W
IC điều khiển	KHÔNG
Hỗ trợ ép xung (CÓ / KHÔNG)	KHÔNG
ECC (Mã sửa lỗi) (CÓ / KHÔNG)	KHÔNG
Trọng lượng tịnh (g)	10g
Tổng trọng lượng (g)	25g
Số lượng pin	260
Hỗ trợ OEM / ODM	CÓ
Tản nhiệt / Bộ tản nhiệt	KHÔNG
Yếu tố hình thức	SODIMM
Loại bộ nhớ máy tính (DRAM / SDRAM)	DRAM
Nhiệt độ hoạt động	0-70°C
Nhiệt độ lưu trữ	-40~85°C
Chính sách bảo hành	3 năm
Không. Số kênh bộ nhớ (Đơn / Kép)	(Đơn / Đôi)
Kích thước sản phẩm (W x D x H) tính bằng mm	70x30x3mm
Bộ nhớ đệm / không đệm	Bộ nhớ không có bộ đệm
Thương hiệu IC bộ nhớ	Micron / Samsung / SK Hynix

Liên kết liên quan